抗雪崩平面超结MOSFET及其制备方法、芯片技术

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种抗雪崩平面超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过在第一P型基区与第一N型源区之间设置凹形的第一介质层，在第二P型基区与第二N型源区之间设置凹形的第二介质层，并且第一N型源区和第二N型源区为T型结构，第一N型源区的垂直部位于第一介质层的凹槽内，且第一N型源区的水平部与第一P型基区接触，第二N型源区的垂直部位于第二介质层的凹槽内，且第二N型源区的水平部与第二P型基区接触，从而抑制器件内寄生的BJT导通，抑制了N型源区和P型基区之间的导通，提升了平面SJ MOS的抗雪崩能力和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于功率器件，尤其涉及一种抗雪崩平面超结mosfet及其制备方法、芯片。

技术介绍

1、平面超结金氧半场效晶体管（super junction metal-oxide- semiconductorfield-effect transistor，sjmosfet）以其优异的耐高压性能，被广泛应用到许多电气领域。可靠性日益成为超结mosfet（sj-mos）设计中的一个重要问题，非箝位电感开关（uis）过程中的失效机理和改善一直是sj-mos可靠性的研究重点，uis常被用来评价sj mos的抗雪崩能力。雪崩是sj mos在实际应用中经常遇到的关键工作条件，因此，提高sj mos的抗雪崩能力对于提高其可靠性具有重要意义。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种抗雪崩平面超结mosfet及其制备方法、芯片，旨在提升平面超结mosfet器件的抗雪崩能力以及鲁棒性。

2、本申请实施例第一方面提供了一种抗雪崩平面超结mosfet，包括：

3、n型衬底；

4、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗雪崩平面超结MOSFET，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的抗雪崩平面超结MOSFET，其特征在于，所述第一介质层与所述第二介质层由高k介质材料制备。

3.如权利要求1所述的抗雪崩平面超结MOSFET，其特征在于，所述第一介质层与所述第二介质层为氧化铪材料或者氧化硅材料。

4.如权利要求1所述的抗雪崩平面超结MOSFET，其特征在于，所述缓冲区为N型3C-SiC材料。

5. 如权利要求1所述的抗雪崩平面超结MOSFET，其特征在于，所述第一P型基区和所述第二P型基区为P型3C-SiC材料。

6.如权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种抗雪崩平面超结mosfet，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的抗雪崩平面超结mosfet，其特征在于，所述第一介质层与所述第二介质层由高k介质材料制备。

3.如权利要求1所述的抗雪崩平面超结mosfet，其特征在于，所述第一介质层与所述第二介质层为氧化铪材料或者氧化硅材料。

4.如权利要求1所述的抗雪崩平面超结mosfet，其特征在于，所述缓冲区为n型3c-sic材料。

5. 如权利要求1所述的抗雪崩平面超结mosfet，其特征在于，所述第一p型基区和所述第二p型基区为p型3c-sic材料。

6.如权利要求1所述的抗雪崩平...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺俊杰，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：