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本发明公开一种环绕栅极型半导体器件及其制造方法。通过将硅锗柱和围绕硅锗柱的硅层用作竖直沟道，该环绕栅极型半导体器件提高了电子和空穴的迁移率。栅电极形成为围绕竖直沟道。当将半导体器件用作ｎＭＯＳＦＥＴ时，由于硅锗柱而产生应变的硅层用作沟道以增...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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