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本发明涉及光电探测技术领域。本发明提供了一种AlScN宽禁带半导体辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器，吸收层为AlScN吸收层，AlScN吸收层中由于Sc的原子序数较大，使得AlScN吸收层能够有效的吸收辐射能量，AlScN吸收层的引入...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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