温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种制备SiC涂层的方法。该制备方法通过两次化学气相沉积在基体表面先后沉积SiC内涂层和SiC外涂层两层SiC涂层，并通过调整化学气相沉积工艺中的沉积温度、沉积压力和前驱体流量比调控沉积的SiC晶粒...
该专利属于湖南德智新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南德智新材料有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。