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本发明公开了一种三维半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：S1、将离子注入到第一半导体晶片中，以便至少在所述第一半导体晶片的待氧化物‑接合到第二半导体晶片的部分中形成n型掺杂区和p型掺杂区；没有穿硅过孔区域的不利或增大的互连信号延迟的...
该专利属于戴子棋所有，仅供学习研究参考，未经过戴子棋授权不得商用。

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