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本发明公开了一种具有高抗短路能力的VDMOSFET及制备方法，属于半导体技术领域，该VDMOSFET由若干方形不对称半元胞结构组成，相邻方形不对称半元胞结构包括：衬底层；N‑外延层；第一、第二PWELL；第一、第二P+源区；第一、第二N+源...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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