一种具有高抗短路能力的VDMOSFET及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有高抗短路能力的VDMOSFET及制备方法，属于半导体技术领域，该VDMOSFET由若干方形不对称半元胞结构组成，相邻方形不对称半元胞结构包括：衬底层；N‑外延层；第一、第二PWELL；第一、第二P+源区；第一、第二N+源区；第一、第二栅电极；第一、第二源电极；漏电极；其中，从俯视方向看：以第一N+源区的中心为对称轴，包括第一N+源区、第一PWELL和第一P+源区的半元胞结构上下、左右均为不对称；以第二N+源区的中心为对称轴，包括第二N+源区、第二PWELL和第二P+源区的半元胞结构上下、左右均为不对称。本发明专利技术通过改变器件的结构可以提升器件的短路能力、降低器件的比导通电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种具有高抗短路能力的vdmosfet(vertical double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor，垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)及制备方法。

技术介绍

1、在电力电子行业整体向好的大环境下，起决定性作用的功率半导体器件成为影响电力电子设备成本和效率的直接因素。虽然现阶段硅(si)基功率器件已经十分成熟，但随着功率半导体逐渐往大功率、高频率和低功耗的方向发展，硅基器件由其本身的物理特征限制，开始难以适用于一些高压、高温、高效率以及高功率密度的应用场景。

2、碳化硅(sic)材料因其优越的物理特性，开始广泛得到从业人员的关注，因此sicmosfet(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor，碳化硅金属氧化物半导体场效应管)技术随之发展，与硅基器件相比，碳化硅材料高热导率、大禁带宽度等特征决定了其在高电流密度、高击穿场强和高工作温本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有高抗短路能力的VDMOSFET，其特征在于，所述VDMOSFET包括若干方形不对称半元胞结构；相邻两个方形不对称半元胞结构形成的结构包括：

2.根据权利要求1所述的具有高抗短路能力的VDMOSFET，其特征在于，所述JFET区(3)的宽度为0.6μm~3μm。

3.根据权利要求1所述的具有高抗短路能力的VDMOSFET，其特征在于，所述第一P+源区(61)的宽度和所述第二P+源区(62)的宽度相同，且所述第一P+源区(61)的宽度小于所述第一N+源区(51)的宽度和所述第一N+源区(51)的宽度。

4.根据权利要求1所述的具有高抗短路能力的...

【技术特征摘要】

1.一种具有高抗短路能力的vdmosfet，其特征在于，所述vdmosfet包括若干方形不对称半元胞结构；相邻两个方形不对称半元胞结构形成的结构包括：

2.根据权利要求1所述的具有高抗短路能力的vdmosfet，其特征在于，所述jfet区(3)的宽度为0.6μm~3μm。

3.根据权利要求1所述的具有高抗短路能力的vdmosfet，其特征在于，所述第一p+源区(61)的宽度和所述第二p+源区(62)的宽度相同，且所述第一p+源区(61)的宽度小于所述第一n+源区(51)的宽度和所述第一n+源区(51)的宽度。

4.根据权利要求1所述的具有高抗短路能力的vdmosfet，其特征在于，从俯视方向看：所述第一n+源区(51)和所述第二n+源区(52)呈方形结构；所述第一p+源区(61)和所述第一n+源区(51)组成方形结构，所述第二p+源区(62)和所述第二n+源区(52)组成方形结构，且所述第一p+源区(61)和所述第二p+源区(62)分别呈l型结构；所述第一pwell(41)、所述第一p+源区(61)和所述第一n+源区(51)组成方形结构，所述第二pwell(42)、所述第二p+源区(62)和所述第二n+源区(52)组成方形结构。

5.根据权利要求1所述的具有高抗短路能力的vdmosfet，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤晓燕，张一博，袁昊，宋庆文，杜丰羽，周瑜，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：