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本发明涉及电化学领域，具体涉及一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置。其技术要点如下：多孔碳前驱体以及气相沉积多孔碳孔隙内的纳米硅颗粒；硅碳负极材料的XRD衍射图中，在2θ角为15°~40°范围内存在第一衍射峰，第一衍射峰...该专利属于江苏鑫华半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏鑫华半导体科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及电化学领域，具体涉及一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置。其技术要点如下：多孔碳前驱体以及气相沉积多孔碳孔隙内的纳米硅颗粒；硅碳负极材料的XRD衍射图中，在2θ角为15°~40°范围内存在第一衍射峰，第一衍射峰...