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本发明提供一种高压半导体元件装置，其包括一第一型掺杂半导体基底，及一第二型掺杂外延半导体于第一型掺杂半导体基底上。一第一型体掺杂区设置于第二型掺杂外延半导体中。一浓掺杂漏极区形成于第二型掺杂外延半导体中，且与第一型体掺杂区间隔以一隔离区和一...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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