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本发明提供一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，所述元件包括一半导体基底，一图案化的隔离区设置于该半导体基底上，定义一第一主动区及一第二主动区。一高压Ｎ－型阱位于该半导体基底的该第一主动区中。一Ｐ－型体掺杂区于该半导体基底的该第二主动区...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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