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本发明提供一种存储器操作方法。当存储器处于重置模式时，强迫存储器的主要数据线（ＭＤＱ）与区域数据线（ＬＤＱ）为逻辑高电位。选择存储器的栏位选择线（ＣＳＬ）与字线，以打开存储器的存储单元。将主要数据线与区域数据线的逻辑高电位写入至被打开的存储...
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