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本发明公开了一种金属－氧化物－半导体（ＭＯＳ）晶体管绝缘栅的制造方法，在温度为１０００℃～１２００℃之间在低浓度氧化性气体中对绝缘栅层进行快速热处理。本方法在绝缘栅层和沟道区之间再生长出一个厚度大于０．０５ｎｍ的氧化物层，导致由于声子能量耦...
该专利属于陈志所有，仅供学习研究参考，未经过陈志授权不得商用。

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