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本发明提供一种具有更高响应性的磁耦合器，其中设有：在第一层（Ｌ１）上卷绕的薄膜线圈（２０）；配置在第二层Ｌ２上，检测由流过薄膜线圈（２０）的信号电流Ｉｍ产生的感应磁场Ｈｍ的第一ＭＲ元件（３１）；以及配置在该第一ＭＲ元件（３１）近旁的由软磁性...
该专利属于TDK株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过TDK株式会社授权不得商用。

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