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本发明公开了AlGaN/GaN超晶格电控异质透反射重构器件及制备方法，包括衬底，衬底上依次设置有顶层透/反射区域、二氧化硅层V、钝化层，衬底上设置有两个隔离区，两个隔离区的顶部贯穿顶层透/反射区域，顶层透/反射区域上且位于两个隔离区之间设置...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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