AlGaN/GaN超晶格电控异质透反射重构器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了AlGaN/GaN超晶格电控异质透反射重构器件及制备方法，包括衬底，衬底上依次设置有顶层透/反射区域、二氧化硅层V、钝化层，衬底上设置有两个隔离区，两个隔离区的顶部贯穿顶层透/反射区域，顶层透/反射区域上且位于两个隔离区之间设置有P区、N区，二氧化硅层V上且位于P区、N区上方位置设置有合金引线，每个合金引线的顶部均贯穿二氧化硅层V且设置于钝化层内。本发明专利技术器件通过引入AlN有源区，形成有源区AlN和AlGaN/GaN超晶格区域的异质结构，进一步改善器件透射和反射效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件制备，具体涉及algan/gan超晶格电控异质透反射重构器件，还涉及algan/gan超晶格电控异质透反射重构器件的制备方法。

技术介绍

1、透/反射重构器件可以用于调节电磁波的传播路径和相位，实现对目标的高分辨率成像和探测。在雷达成像、医学影像学、地质勘探等领域，它可以提高成像质量和探测灵敏度，拓展了电磁波成像技术的应用范围。透/反射重构器件还可以设计成具有特定的屏蔽和隔离功能，用于阻止电磁波的传播或减弱外界电磁干扰。这对于电磁辐射控制、电磁环境调节等具有重要意义，可以提高电子设备的抗干扰能力和工作稳定性。然而，目前透/反射器件大多只能实现单一的透射或反射，或是通过加载有源器件实现透/反射重构。电控固态等离子体器件在外加电压的作用下可实现实时重构，具有广阔的应用前景。目前固态等离子体器件大多采用传统硅材料，固态等离子体浓度低且不均匀，导致器件的透/反射效率低。

2、因此，选择何种结构及工艺来制作一种新型固态等离子体透/反射重构器件以应用于新型信息系统就变得尤为重要。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.AlGaN/GaN超晶格电控异质透反射重构器件，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)上依次设置有顶层透/反射区域(4)、二氧化硅层V(17)、钝化层(20)，所述衬底(1)上设置有两个隔离区(8)，两个所述隔离区(8)的顶部贯穿顶层透/反射区域(4)，所述顶层透/反射区域(4)上且位于两个隔离区(8)之间设置有P区(14)、N区(16)，所述二氧化硅层V(17)上且位于P区(14)、N区(16)上方位置设置有合金引线(19)，每个合金引线(19)的顶部均贯穿二氧化硅层V(17)且设置于钝化层(20)内。

2.AlGaN/GaN超晶格电控异质透反射重构器件的制备方法，...

【技术特征摘要】

1.algan/gan超晶格电控异质透反射重构器件，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)上依次设置有顶层透/反射区域(4)、二氧化硅层v(17)、钝化层(20)，所述衬底(1)上设置有两个隔离区(8)，两个所述隔离区(8)的顶部贯穿顶层透/反射区域(4)，所述顶层透/反射区域(4)上且位于两个隔离区(8)之间设置有p区(14)、n区(16)，所述二氧化硅层v(17)上且位于p区(14)、n区(16)上方位置设置有合金引线(19)，每个合金引线(19)的顶部均贯穿二氧化硅层v(17)且设置于钝化层(20)内。

2.algan/gan超晶格电控异质透反射重构器件的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

3.根据权利要求2所述的algan/gan超晶格电控异质透反射重构器件的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述顶层透/反射区域由若干algan/gan超晶格层依次叠加组成，每个所述algan/gan超晶格层从下至上依次包括gan层(2)、algan层(3)。

4.根据权利要求3所述的algan/gan超晶格电控异质透反射重构器件的制备方法，其特征在于，所述gan层(2)的厚度为100纳米～1000纳米，所述alg...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏汉，路敏，贺小敏，陈好好，席晓莉，邵琛杰，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：