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本发明提供一种SGT器件制备方法及外延片，通过在N型衬底上沉积复合层，复合层包括依次沉积的第一子层、第二子层、第三子层以及第四子层；其中，第一子层、第二子层以及第四子层均为均匀掺杂磷的外延层，第三子层为均匀掺杂硼的外延层，第三子层的厚度最小...
该专利属于江西萨瑞微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西萨瑞微电子技术有限公司授权不得商用。

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