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本发明揭示一种多阶式快闪存储器的制备方法，其包含形成具有电荷捕陷层的介电堆叠于半导体基板上、形成具有凹部的绝缘结构于该电荷捕陷层上、局部去除该凹部上的电荷捕陷层以将该电荷捕陷层分段以形成多个储存节点、形成隔离这些储存节点的栅氧化物层、以及形...
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