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本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质，课题在于提供能够提高衬底上形成的膜的阶梯覆盖性的技术。包括：(a1)向衬底供给第1改性气体的工序；(a2)向前述衬底供给具有第1元素的第1处理气体的工序；(b1)向前述...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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