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本发明提供一种提升栅源可靠性的屏蔽栅MOSFET制造方法,提供衬底,在衬底上形成外延层,在外延上形成栅极沟槽,栅极沟槽的底部形成有第一介质层以及位于第一介质层中的第一栅极多晶硅层,第一介质层和第一栅极多晶硅层上形成有隔离介质层;氧化栅极凹槽...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种提升栅源可靠性的屏蔽栅MOSFET制造方法,提供衬底,在衬底上形成外延层,在外延上形成栅极沟槽,栅极沟槽的底部形成有第一介质层以及位于第一介质层中的第一栅极多晶硅层,第一介质层和第一栅极多晶硅层上形成有隔离介质层;氧化栅极凹槽...