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本发明披露了一种具有金属栅极晶体管与多晶硅电阻结构的半导体元件及其制作方法。根据该方法，首先提供一基底，且该基底上定义有一晶体管区以及一电阻区。然后形成一多晶硅层于该基底上并覆盖该晶体管区及该电阻区。接着去除电阻区的部分多晶硅层，并图案化该...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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