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本发明提供了一种外延工艺方法，将衬底置于外延设备的反应腔内，将反应气体通入所述反应腔内进行外延生长，所述反应气体中以高阶硅烷气体为硅源，并且所述外延生长的气体压强为0.1毫托～1托。通过采用高阶硅烷气体作为硅源并在超低压强下进行外延生长，提...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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