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本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域。半导体器件包括衬底、氮化铝缓冲层和异质外延层。氮化铝缓冲层位于衬底的一侧，氮化铝缓冲层包括第一表面和第二表面，第一表面相比第二表面远离衬底。第一表面上随机分布多...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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