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本公开提供了一种OTP器件结构及其制备方法、OTP存储器及其操作方法。一种OTP器件结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的编程区域和读取区域，所述编程区域和所述读取区域并列；所述编程区域包括第一栅极；所述读取区域为MOS管结构，包括第二栅极；...
该专利属于上海朗矽科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海朗矽科技有限公司授权不得商用。

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