OTP器件结构及其制备方法、OTP存储器及其操作方法技术

本公开提供了一种OTP器件结构及其制备方法、OTP存储器及其操作方法。一种OTP器件结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的编程区域和读取区域，所述编程区域和所述读取区域并列；所述编程区域包括第一栅极；所述读取区域为MOS管结构，包括第二栅极；在所述编程区域中所述第一栅极与所述第二栅极之间通过介质层隔离。本公开的积极进步效果在于：通过将OTP器件结构的编程区域的第一栅极与读取区域中MOS管结构第二栅极之间的介质层取代传统的反熔丝结构，能够实现在编程具有较高的可靠性，而在读出电流时，具有较大的读出电流。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及存储器领域，尤其涉及一种otp器件结构及其制备方法、otp存储器及其操作方法。

技术介绍

1、otp(one time programmable)是一种特殊类型的非易失性存储器(non-volatilememory)，只允许编程一次，一旦被编程，数据永久有效。其中，利用反熔丝(anti-fuse)的otp器件结构是otp存储器的一种经典构型，它由两个晶体管组成，一个是编程晶体管，另一个是读或选择晶体管。在编程晶体管的薄栅氧上施加高电压，通过雪崩击穿使晶体管的栅极和源极短路来编程，但是，现有结构在编程时存在高掺杂区域高阻通道分支，会产生编程后电流分布的长尾效应，造成良率和可靠性的问题。

技术实现思路

1、本公开要解决的技术问题是为了克服现有技术中otp器件结构在编程时存在高掺杂区域高阻通道分支，会产生编程后电流分布的长尾效应，造成良率和可靠性的问题的缺陷，提供一种otp器件结构及其制备方法、otp存储器及其操作方法。

2、本公开是通过下述技术方案来解决上述技术问题：p>

3、本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种OTP器件结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的OTP器件结构，其特征在于，所述第一栅极为金属；

3.根据权利要求1所述的OTP器件结构，其特征在于，所述介质层的介电常数大于二氧化硅的介电常数。

4.一种OTP器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备如权利要求1至3中任一项所述的OTP器件结构；所述制备方法包括：

5.根据权利要求4所述的OTP器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

6.一种OTP存储器，其特征在于，所述OTP存储器由存储单元所形成的阵列构成；p>

7.一种O...

【技术特征摘要】

1.一种otp器件结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的otp器件结构，其特征在于，所述第一栅极为金属；

3.根据权利要求1所述的otp器件结构，其特征在于，所述介质层的介电常数大于二氧化硅的介电常数。

4.一种otp器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备如权利要求1至3中任一项所述的otp器件结构；所述制备方法包括：

5.根据权利要求4所述的otp器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

6.一种otp存储器，其特征在于，所述otp存储器由存储单元所形成的阵列构成；

7.一种otp存储器的操作方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪大祥，张雄，史闻，李青，徐迪，
申请(专利权)人：上海朗矽科技有限公司，
类型：发明
国别省市：