温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；所述顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，所述源引出区和所述漏引出区分别位于所述漂移区沿第一方向的两侧；至少部分...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。