温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了多电子束发射阵列芯片及其制备方法，多电子束发射阵列芯片的制备方法包括a)一次成膜、b)一次刻蚀、c)二次成膜、d)去膜、e)三次成膜、f)二次刻蚀、g)四次成膜、h)三次刻蚀和i)后处理，可通过采用微米级集成电路生产技术中常用的...
该专利属于杭州汉宇科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州汉宇科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。