多电子束发射阵列芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了多电子束发射阵列芯片及其制备方法，多电子束发射阵列芯片的制备方法包括a)一次成膜、b)一次刻蚀、c)二次成膜、d)去膜、e)三次成膜、f)二次刻蚀、g)四次成膜、h)三次刻蚀和i)后处理，可通过采用微米级集成电路生产技术中常用的生产工艺于在6吋或8吋的无机非金属或者金属晶圆的衬底之上进行多次成膜和刻蚀操作，可根据应用所需的尺寸制造出的微米级金属或者半导体材料锥形纳米级电子发射针，不仅整体制备工艺简单、成熟、稳定和成本低廉，且可以实现电子束聚焦、检测等系统的集成制造。

【技术实现步骤摘要】

【】本专利技术涉及电子束曝光的，特别是多电子束发射阵列芯片及其制备方法的。

技术介绍

0、
技术介绍

1、纳米级集成电路生产中常用的多电子束曝光装置是一种可产生聚焦电子束并控制电子束按照电路设计的版图直写的光刻掩模板或者半导体晶圆的电子束光刻核心生产设备。其工作原理类似于扫描电子显微镜，通常包括用于产生聚焦电子束和控制电子束偏转的“光柱”、电子束分束光阑、电子束检测系统和反射电子检测系统等等，可控制直径为1～2nm的高度聚焦的电子束斑在x-y二位平面内实现亚纳米精度的定位，如公告号为cn1193129专利技术所公开的一种电子束曝光系统及其使用方法以及公开号为cn1708729的专利技术所公开的电子束曝光方法及电子束曝光装置。当涂覆电子胶的光刻掩模板(或者半导体晶片)试样位于电磁透镜焦平面上时，利用图形发生器、电磁透镜组和扫描线圈，就可得到小于10nm的曝光图案。

2、在电子束曝光技术中，曝光速率通常与曝光时电子束流大小成正比。但是，一旦束流过大，电子之间排斥的库仑效应就会限制束斑的精度。在不影响精度的条件下，为了提高电子束曝光的速本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于：各个所述内凹部(11)均呈倒锥形。

3.如权利要求1所述的多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述衬底(1)为金属基衬、晶体硅基衬或二氧化硅基衬，所述封装片(9)为陶瓷片、碳基薄膜或有机绝缘薄膜。

4.如权利要求1所述的多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述一号膜层(2)和三号膜层(5)均为采用化学气相沉积技术镀设而成的无机绝缘薄膜。

5.如权利要求4所述的多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于：各个所述内凹部(11)均呈倒锥形。

3.如权利要求1所述的多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述衬底(1)为金属基衬、晶体硅基衬或二氧化硅基衬，所述封装片(9)为陶瓷片、碳基薄膜或有机绝缘薄膜。

4.如权利要求1所述的多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述一号膜层(2)和三号膜层(5)均为采用化学气相沉积技术镀设而成的无机绝缘薄膜。

5.如权利要求4所述的多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述一号膜层(2)的厚度为1～100μm，所述三号膜层(5)的厚度为1～100μm。

6.如权利要求1所述的多电子束发射阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述二...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔建民，刘旭，乔伟，于文彦，张琦，
申请(专利权)人：杭州汉宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：