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本发明提供一种环绕式垂直沟道3D NAND存储器及其测试方法，包括填充层、金属层、沟道、源极、漏极、选择管、多个控制栅、隧穿层、电荷俘获层和阻挡层；填充层、金属层、沟道、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和控制栅从内到外绕垂直轴依次布设；多个控制栅...
该专利属于湖北大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖北大学授权不得商用。

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