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本发明提供一种将存储单元尺寸微缩化后能够实现高集成化的AND型快闪存储器。本发明的AND型快闪存储器具有：在基板内沿列方向形成的多个扩散区域(70)、形成于对向的扩散区域(70)间的多个栅极(20)、选择控制线(SGD)、选择控制线(SGS...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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