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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,基底上形成有鳍部,基底包括第一区域和第二区域,其中,第一区域的基底上的鳍部为第一鳍部,第二区域的基底上的鳍部为第二鳍部;沿鳍部的宽度方向,对第一鳍部和第二鳍部中的一者或两者进行减薄处理,以减小第二鳍...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,基底上形成有鳍部,基底包括第一区域和第二区域,其中,第一区域的基底上的鳍部为第一鳍部,第二区域的基底上的鳍部为第二鳍部;沿鳍部的宽度方向,对第一鳍部和第二鳍部中的一者或两者进行减薄处理,以减小第二鳍...