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切割晶粒接合一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:42470178
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本发明公开了一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜依次具备第1基材层、含有导电性粒子的晶粒接合膜、压敏胶黏剂层及第2基材层。第1基材层在晶粒接合膜侧的表面具有沿晶粒接合膜的外缘而设置的切入部。在25℃下测量的晶粒接合膜相对于第1基...
该专利属于株式会社力森诺科所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社力森诺科授权不得商用。
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