【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种切割晶粒接合一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、以往，半导体装置经过以下工序而制造。首先，将半导体晶圆贴附于切割用压敏胶片(pressure-sensitive adhesive sheet)上，在这种状态下将半导体晶圆单片化为半导体芯片(切割工序)。然后，实施拾取工序、压接工序及晶粒接合工序等。在专利文献1中公开了一种黏合膜(adhesive film)(切割晶粒接合一体型膜)，其兼具在切割工序中固定半导体晶圆的功能和在晶粒接合工序中使半导体芯片与基板黏合的功能。在切割工序中，通过单片化半导体晶圆及晶粒接合膜，能够获得带晶粒接合膜片的半导体芯片。
2、近年来，已普及进行电力的控制等的称为功率半导体装置的装置。功率半导体装置容易因所供给的电流而产生热，要求优异的散热性。专利文献2中公开了具备固化后的散热性比固化前的散热性高的晶粒接合膜的带晶粒接合膜的切割带(切割晶粒接合一体型膜)。
3、以往技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开200...
【技术保护点】
1.一种切割晶粒接合一体型膜，其依次具备：
2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，
3.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，
4.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，
5.一种切割晶粒接合一体型膜的制造方法，其为权利要求1至4中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜的制造方法，所述切割晶粒接合一体型膜的制造方法包括：
6.一种半导体装置的制造方法，其包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种切割晶粒接合一体型膜，其依次具备：
2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，
3.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，
4.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一...
【专利技术属性】
技术研发人员：黑田孝博，板垣圭，谷口纮平，守谷研耶，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
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