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本发明提出了一种具有低载流子吸收损耗上波导层的氮化镓半导体激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，所述下波导层为光场局域效应增强下波导层，所述光场局域效应增强下波导层具有轻空穴有效质量分布特性...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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