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本发明提供一种提高静电能力的功率半导体器件及制造方法；在器件的ESD保护区，第一导电类型外延层上部设有第二导电类型阱区；第二类沟槽自第一主面伸入第二导电类型阱区之下；在第二类沟槽中设有ESD多晶硅；所述ESD多晶硅的两端为同一导电类型的多晶...
该专利属于无锡商甲半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡商甲半导体有限公司授权不得商用。

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