提高静电能力的功率半导体器件及制造方法技术

本发明专利技术提供一种提高静电能力的功率半导体器件及制造方法；在器件的ESD保护区，第一导电类型外延层上部设有第二导电类型阱区；第二类沟槽自第一主面伸入第二导电类型阱区之下；在第二类沟槽中设有ESD多晶硅；所述ESD多晶硅的两端为同一导电类型的多晶硅，自ESD多晶硅的两端向中间交替布设第一导电类型多晶硅和第二导电类型多晶硅，形成至少两组级联的第一导电类型多晶硅‑第二导电类型多晶硅‑第一导电类型多晶硅结构；在第三类绝缘介质层上设有源极金属和栅极金属；源极金属通过第三类接触孔接触ESD多晶硅一端的第一导电类型多晶硅，栅极金属通过第四类接触孔接触ESD多晶硅另一端的第一导电类型多晶硅。本申请可降低制造成本和光刻难度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其是一种提高静电能力的功率半导体器件及制造方法。

技术介绍

1、沟槽型mosfet功率半导体器件是现在市场上主流的mosfet功率半导体器件；凭借着低成本的特点，在许多应用中被使用。普通的沟槽型功率半导体器件的栅极和源极之间esd(静电释放)能力较弱，在遭遇esd时很容易遭受过度电应力而被永久破坏。此时常见的做法是在沟槽型功率半导体器件基础上额外设计一个esd保护结构。

2、图1和图2显示了现有的一种带有esd保护结构的沟槽型mosfet功率半导体器件；此种带有esd保护结构的沟槽型mosfet功率半导体器件的制造方法包括：

3、步骤s1，提供第一导电类型衬底1，在第一导电类型衬底1上生长第一导电类型外延层2；第一导电类型外延层2背离第一导电类型衬底1的表面为第一主面，第一导电类型衬底1背离第一导电类型外延层2的表面为第二主面；

4、步骤s2，在第一主面刻蚀形成第一类沟槽3；第一类沟槽3包括相连的元胞沟槽3-1和栅极引出沟槽3-2；第一类沟槽3位于器件的元胞区100；>

5、刻蚀形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高静电能力的功率半导体器件，包括：第一导电类型衬底(1)，在第一导电类型衬底(1)上设有第一导电类型外延层(2)；第一导电类型外延层(2)背离第一导电类型衬底(1)的表面为第一主面，第一导电类型衬底(1)背离第一导电类型外延层(2)的表面为第二主面；其特征在于，

2.如权利要求1所述的提高静电能力的功率半导体器件，其特征在于，

3.如权利要求1所述的提高静电能力的功率半导体器件，其特征在于，

4.如权利要求1所述的提高静电能力的功率半导体器件，其特征在于，

5.如权利要求1所述的提高静电能力的功率半导体器件，其特征在于，

<...

【技术特征摘要】

1.一种提高静电能力的功率半导体器件，包括：第一导电类型衬底(1)，在第一导电类型衬底(1)上设有第一导电类型外延层(2)；第一导电类型外延层(2)背离第一导电类型衬底(1)的表面为第一主面，第一导电类型衬底(1)背离第一导电类型外延层(2)的表面为第二主面；其特征在于，

2.如权利要求1所述的提高静电能力的功率半导体器件，其特征在于，

3.如权利要求1所述的提高...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕支刚，丁磊，
申请(专利权)人：无锡商甲半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：