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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底;电容结构,所述电容结构位于所述衬底内,所述电容结构包括相绝缘的至少2个第一电极层和至少2个第二电极层,所述至少2个第一电极层和所述至少2个第二电极层间隔层叠设置;第一导电插塞,所述第一导电插塞与所...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底;电容结构,所述电容结构位于所述衬底内,所述电容结构包括相绝缘的至少2个第一电极层和至少2个第二电极层,所述至少2个第一电极层和所述至少2个第二电极层间隔层叠设置;第一导电插塞,所述第一导电插塞与所...