【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、近年来半导体集成电路行业经历了指数增长，集成电路(integrated circuit，ic)材料和设计的技术进步使得每一代集成电路都具有比上一代更小和更复杂的电路。深沟槽电容器(deep trench capacitor，dtc)通过将深沟槽(deep trench，dt)蚀刻到衬底中而形成三维垂直电容器，使得电容器在减小尺寸的同时具有较大的电容。
2、然而，当前的深沟槽电容器的结构有待改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以减小深沟槽电容器的导电插塞的数量和占用面积。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构，包括：衬底；电容结构，所述电容结构位于所述衬底内，所述电容结构包括相绝缘的至少2个第一电极层和至少2个第二电极层，所述至少2个第一电极层和所述至少2个第二电极层间隔层叠设置；第一导电插塞，所述第一导电插塞与所有所述第一电极层电...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层还延伸至所述衬底上。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，部分延伸至衬底上的相邻第一电极层相邻接；部分延伸至衬底上的相邻第二电极层相邻接。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电插塞至少与最上层的第一电极层电连接；所述第二导电插塞至少与最上层的第二电极层电连接。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电插塞至少还贯穿部分数量的第一电极层；
6.如权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层还延伸至所述衬底上。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，部分延伸至衬底上的相邻第一电极层相邻接；部分延伸至衬底上的相邻第二电极层相邻接。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电插塞至少与最上层的第一电极层电连接；所述第二导电插塞至少与最上层的第二电极层电连接。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电插塞至少还贯穿部分数量的第一电极层；
6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：接触层，所述接触层位于最上层的第一电极层和导电插塞之间，所述导电插塞为第一导电插塞和第二导电插塞中的一个。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述接触层还位于所述导电插塞和电连接的电极层侧壁之间，所述电极层为第一电极层和第二电极层中的一个。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，一个所述电容结构的第二电极层与一侧相邻电容结构的第二电极层延伸相连，与另一侧相邻电容结构的第一电极层延伸相连。
【专利技术属性】
技术研发人员：张博，遇寒，黄景丰，刘立成，孙孝翔，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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