下载一种垂直取向石墨基异质结及其制备方法的技术资料

文档序号:42434809

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本发明公开了一种垂直取向石墨基异质结及其制备方法,其是由金属纳米膜‑垂直取向石墨膜‑半导体三层结构组装而成。其可以高效吸收X射线,放大并约束X射线辐照产生的光电流。此探测器在低剂量区间(0.01n—10μGy<subgt;air<...
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