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本发明公开了一种碳化硅芯片高可靠性钝化层结构及制备方法，具体涉及碳化硅芯片技术领域，包括碳化硅芯片钝化层，碳化硅芯片钝化层底部设置有碳化硅芯片基层，碳化硅芯片基层顶部设置有肖特基接触金属层，肖特基接触金属层顶部设置有正面加厚金属层，碳化硅芯...
该专利属于山西第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

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