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本发明公开一种互补场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决现有技术中场效应晶体管性能较差，不能满足实际电路的功能及性能需求的问题。包括：底层的硅基器件；淀积于所述硅基器件上的绝缘层；在所述绝缘层的互联窗口淀积形成的互联金属；所...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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