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本发明涉及半导体晶圆表面处理的技术领域,提供一种晶片表面阴阳离子的收集装置,包括壳体、柔性密封体和支撑座;壳体具有一密闭的腔室以及与腔室连通的进液端和出液端;柔性密封体和支撑座位于腔室的底部;支撑座用于固定晶片并能够对晶片施加作用力,以使晶...该专利属于英诺赛科(苏州)半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英诺赛科(苏州)半导体有限公司授权不得商用。
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本发明涉及半导体晶圆表面处理的技术领域,提供一种晶片表面阴阳离子的收集装置,包括壳体、柔性密封体和支撑座;壳体具有一密闭的腔室以及与腔室连通的进液端和出液端;柔性密封体和支撑座位于腔室的底部;支撑座用于固定晶片并能够对晶片施加作用力,以使晶...