晶片表面阴阳离子的收集装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体晶圆表面处理的技术领域，提供一种晶片表面阴阳离子的收集装置，包括壳体、柔性密封体和支撑座；壳体具有一密闭的腔室以及与腔室连通的进液端和出液端；柔性密封体和支撑座位于腔室的底部；支撑座用于固定晶片并能够对晶片施加作用力，以使晶片与柔性密封体接触挤压形成相互密闭的结构。通过柔性密封体的设置，在晶片安装时能够作用到柔性密封体上，柔性密封体在晶片固定的过程中与晶片接触并发生形变形成密封，通过晶片与柔性密封体之间的密封使得在注入收集液，通过收集液能够收集到晶片单面的阴阳离子而不会受背面影响，提高了后续分析的准确度，且实现了直接对晶片表面阴阳离子的收集。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体晶圆表面处理的，尤其涉及一种晶片表面阴阳离子的收集装置。

技术介绍

1、晶片也称为晶圆，是半导体领域中重要的电路载体。在半导体行业中，f-、cl-等离子已被证实对晶圆上的材料或结构存在破坏性的影响，所以监测晶圆表面的阴阳离子显得尤为重要。

2、在相关的技术中多通过环境/水等间接的方式收集阴阳离子，并使用离子色谱仪进行测试，来监控制程中是否存在污染。也就是，相关的技术中还没有装置能够实现对晶圆表面直接进行阴阳离子收集。再者，相关的装置中多采用浸没的方式进行收集，这使得对单面的分析造成较大误差。如何直接收集单面晶圆表面阴阳离子的需求是目前业界亟待解决的重要课题。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种晶片表面阴阳离子的收集装置，用以解决现有技术中难以直接对晶片单面阴阳离子收集的缺陷。

2、本专利技术提供一种晶片表面阴阳离子的收集装置，包括：

3、壳体，所述壳体内限定有一密闭的腔室，所述壳体上具有与所述腔室连通的进液端和出液端；

4、柔性密封体，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶片表面阴阳离子的收集装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶片表面阴阳离子的收集装置，其特征在于，还包括底座(60)和支撑杆(70)，所述支撑杆(70)一端与所述底座(60)固定连接，所述支撑杆(70)的另一端与所述支撑座(50)转动连接，以使所述支撑座(50)能够绕所述支撑杆(70)在预定范围内偏转。

3.根据权利要求2所述的晶片表面阴阳离子的收集装置，其特征在于，所述出液端(40)位于所述壳体(10)的下部，且所述出液端(40)与所述进液端(30)相对布置，以通过所述支撑座(50)的偏转使得液体通过所述出液端(40)排出。

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【技术特征摘要】

1.一种晶片表面阴阳离子的收集装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶片表面阴阳离子的收集装置，其特征在于，还包括底座(60)和支撑杆(70)，所述支撑杆(70)一端与所述底座(60)固定连接，所述支撑杆(70)的另一端与所述支撑座(50)转动连接，以使所述支撑座(50)能够绕所述支撑杆(70)在预定范围内偏转。

3.根据权利要求2所述的晶片表面阴阳离子的收集装置，其特征在于，所述出液端(40)位于所述壳体(10)的下部，且所述出液端(40)与所述进液端(30)相对布置，以通过所述支撑座(50)的偏转使得液体通过所述出液端(40)排出。

4.根据权利要求1或2所述的晶片表面阴阳离子的收集装置，其特征在于，所述壳体(10)包括从下到上依次连接的集液槽(11)、气液盘(12)和密封盖(13)。

5.根据权利要求4所述的晶片表面阴阳离子的收集装置，其特征在于，所述进液端(30)与所述气液盘(12)连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘睿，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：