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本发明涉及功率半导体技术领域，具体公开了具有反向阻断能力的超结IGBT器件及其制造方法。该器件包括由下向上依次叠设的集电极层、P型集电区、漂移区、顶部外延层和P型体区；漂移区的底部光刻形成有若干间隔分布的注入槽，注入槽内空间为扩散区，扩散区...
该专利属于上海超致半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超致半导体科技有限公司授权不得商用。

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