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本发明提供能够将肖特基位垒高度(ΦBn)控制为各种各样的值的肖特基势垒二极管。本发明是一种肖特基势垒二极管，其具有：硅层11；以及硅化物层12a，其配置于所述硅层11上且包含Pt和Ni，从所述硅化物层12a和所述硅层11两者的界面向所述硅化...
该专利属于新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社授权不得商用。

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