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本发明公开了一种输入耦合器、阻尼腔及其制造方法，通过将输入耦合器设计为包含前端部和与所述前端部相连接的后端部，该前端部为波导结构，后端部为同轴结构。本实施例提供的耦合器采用波导转同轴结构，改善耦合器的引入所带来的对电磁场分布不对称的影响，减...
该专利属于中国科学院高能物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院高能物理研究所授权不得商用。

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