【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及粒子加速度器，尤其涉及的是一种高功率输入耦合器、阻尼腔及其制造方法。
技术介绍
1、在同步辐射光源中，需要通过粒子加速腔为束流补充由同步辐射光源和插入件等带来的能量损耗。与此同时，粒子加速腔需要充分的抑制高阶模，以降低多束团耦合不稳定性，提高束流品质。
2、现有技术中，粒子加速腔采用tm020作为加速模式，增大了腔的体积，降低了表面功率密度，提高了腔压承受能力(一般大于0.8mv/cell)。但是高阶模阻尼腔工作模式的性能强依赖于腔的分布对称性。耦合器的引入会引起腔内电磁场的分布不对称，而电磁场的分布不对称进而引发电磁场泄漏的问题，增加了该腔型运行时不稳定的风险。
3、因此，现有技术中的方法需要进一步的改进。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术中的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种输入耦合器、阻尼腔及其制造方法，克服由于输入耦合器的引入而导致的电磁场分布不对称，而导致的场泄漏的缺陷。
2、本专利技术解决技术问题所采用的技术方案如下：p>
3、第一方本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种输入耦合器，其特征在于，包括：前端部和与所述前端部相连接的后端部；所述前端部为波导结构，后端部为同轴结构。
2.根据权利要求1所述的输入耦合器，其特征在于，所述后端部为loop型同轴结构或天线型同轴结构。
3.根据权利要求1或2所述的输入耦合器，其特征在于，所述前端部为跑道型波导结构。
4.一种高阶模阻尼腔，其特征在于，包括：圆柱形腔体，所述圆柱形腔体上设置有如权利要求1-3任一项所述的输入耦合器，所述输入耦合器的前端部插入至所述圆柱形腔体内。
5.根据权利要求4所述的高阶模阻尼腔，其特征在于，所述圆柱形腔体的内...
【技术特征摘要】
1.一种输入耦合器，其特征在于，包括：前端部和与所述前端部相连接的后端部；所述前端部为波导结构，后端部为同轴结构。
2.根据权利要求1所述的输入耦合器，其特征在于，所述后端部为loop型同轴结构或天线型同轴结构。
3.根据权利要求1或2所述的输入耦合器，其特征在于，所述前端部为跑道型波导结构。
4.一种高阶模阻尼腔，其特征在于，包括：圆柱形腔体，所述圆柱形腔体上设置有如权利要求1-3任一项所述的输入耦合器，所述输入耦合器的前端部插入至所述圆柱形腔体内。
5.根据权利要求4所述的高阶模阻尼腔，其特征在于，所述圆柱形腔体的内表面上设置内设耦合槽，所述内设耦合槽为环形波导结构，所述环形波导结构由多个弯波导组合而成。
6.根据权利要求5所述的高阶模阻尼腔，其特征在于，各...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝雪瑞，李晓，朱俊裕，龙巍，刘洋，陈胜义，陆志军，张春林，吴彬，刘盛画，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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