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本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种沟槽型SiC VDMOSFET结构，包括多个呈并联排列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、碳化硅外延层、源极和栅极，其中碳化硅外延层包括衬底层、扩散层、P型半导体区以及N型半导体区；所述...
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