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本发明公开了电子加速器的注量率标定方法，包括通过电子加速器和反应堆分别对半导体器件辐照，对应得到半导体器件在电子辐照下和中子辐照下的电学性能损伤量。根据中子辐照下的电学性能损伤量所对应的中子注量与蒙特卡洛计算得到的中子辐照和电子辐照下的非电...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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