【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁、辐照监测，应用于辐照场测量。本专利技术具体涉及一种电子加速器的注量率标定方法及系统。
技术介绍
1、电子加速器辐照设备因辐照场剂量高、环境复杂以及辐照场与测量距离远等因素，其注量率会发生偏移，需要标定。现有的电子加速器辐照场注量率标定方法有平行板电离室法，法拉第筒法和化学剂量计法。其中，平行板电离室法中高能量的电子加速器易造成电离室损坏。法拉第筒法需要通过高注量产生的热效应，便捷性差。化学剂量计法因易受到在紫外光区特定波长范围的影响，精度低且不可重复使用、测试周期长。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种电子加速器的注量率标定方法和系统，解决了电子加速器空间应用过程中辐照场无法准确测量的问题。
2、在第一方面中，本专利技术提供了电子加速器的注量率标定方法，其包括：
3、通过电子加速器和反应堆分别对半导体器件辐照，对应得到半导体器件在电子辐照和中子辐照下的电学性能损伤量。
4、根据中子辐照下的电学性能损伤量所对应的中子注量与蒙特...
【技术保护点】
1.一种电子加速器的注量率标定方法，其特征在于，其包括：
2.根据权利要求1所述的注量率标定方法，其特征在于，通过电子加速器对半导体器件辐照，对应得到半导体器件在电子辐照下的电学性能损伤量包括：
3.根据权利要求2所述的注量率标定方法，其特征在于，当所述半导体器件是二极管时，所述电性能值为反向饱和电流；
4.根据权利要求1所述的注量率标定方法，其特征在于，通过反应堆对半导体器件辐照，对应得到半导体器件在中子辐照下的电学性能损伤量包括：
5.根据权利要求4所述的注量率标定方法，其特征在于，当所述半导体器件是二极管时，所述电...
【技术特征摘要】
1.一种电子加速器的注量率标定方法，其特征在于，其包括：
2.根据权利要求1所述的注量率标定方法，其特征在于，通过电子加速器对半导体器件辐照，对应得到半导体器件在电子辐照下的电学性能损伤量包括：
3.根据权利要求2所述的注量率标定方法，其特征在于，当所述半导体器件是二极管时，所述电性能值为反向饱和电流；
4.根据权利要求1所述的注量率标定方法，其特征在于，通过反应堆对半导体器件辐照，对应得到半导体器件在中子辐照下的电学性能损伤量包括：
5.根据权利要求4所述的注量率标定方法，其特征在于，当所述半导体器件是二极管时，所述电性能值为反向饱和电流；所述二极管包括多组二极管；一组二极管中包括多个二极管，其中，每个二极管在二极管的工作电压范围内测量其反向耐压值；
6.根据权利要求1所述的注量率标定方法，其特征在于，根据中子辐照下的电学性能损伤量所对应的中子注量与蒙特卡洛计算得到的中子...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭红霞，李济芳，欧阳晓平，马武英，薛院院，刘玲月，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：
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