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本发明提供一种易于设计、电压适用范围广、具有高面积利用率和可靠性的双向变掺杂终端倒角区设计方法。相比传统VLD终端结构，VTD终端在获得相同耐压的基础上节省了终端区域面积，或在相同终端面积条件下可获得更高耐压。此外，VTD终端受氧化层电荷影...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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